台积电 A14 制程进展超预期，良率性能双双逼近 90%

台积电 A14 制程进展超预期，良率性能双双逼近 90%

台积电在本周财报电话会上表示，A14（1.4 纳米级）制程过去三个月进展迅速，内部测试的器件性能已接近目标水平的 90%，256 Mb SRAM 良率也接近 90%。今年 4 月这两项数据还分别只有 85% 和 80% 以上。CEO 魏哲家透露，智能手机、AI 和高性能计算客户兴趣强烈，新设计流片进度快于计划。

A14 预计 2028 年下半年量产，目前进度大幅领先同期 N2，部分原因是采用第二代 GAA 纳米片晶体管，可沿用 N2 积累的经验。与 N2 相比，A14 同功耗下性能预计提升 10% 至 15%，同频下功耗降低 25% 至 30%，逻辑晶体管密度提高 23%。若客户设计及时完成，台积电可能提前量产。

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